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IPD10N03LA_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 25V 30A DPAK永貝爾科技3部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IPD10N03LA
- 功能描述:
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市永貝爾科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
15869838552
- 詢價:
- 電話:
0755-83214746
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場68樓6811A
相近型號
- IPD10N05LA
- IPD1-09-S
- IPD10N06S4-03
- IPD1-09-D-P
- IPD1-10-D
- IPD1-09-D-K
- IPD1-10-D-GP
- IPD1-09-D-GP-R
- IPD1-10-D-GP-M
- IPD1-09-D
- IPD1-10-D-GP-R
- IPD1-08-S-K-R
- IPD1-10-D-K
- IPD1-08-S-K-M
- IPD1-10-D-K-M
- IPD1-08-S-K
- IPD1-10-D-K-R
- IPD1-08-S
- IPD1-10-D-M
- IPD1-08-D-R
- IPD1-10-D-P
- IPD1-08-D-P-M
- IPD110N12N3
- IPD1-08-D-P
- IPD110N12N3G
- IPD1-08-D-M
- IPD110N12N3GATMA1
- IPD1-08-D-K-M
- IPD110N12N3GBUMA1
- IPD1-08-D-K
- IPD1-08-D-GP-R
- IPD110N12N3G-VB
- IPD1-08-D-GP-M
- IPD1-08-D-GP
- IPD1-10-S
- IPD1-08-D
- IPD1-10-S-K
- IPD1-07-S-R
- IPD1-10-S-K-M
- IPD1-07-S-K-R
- IPD1-10-S-K-R
- IPD1-07-S-K-M
- IPD1-10-S-R
- IPD1-07-S
- IPD1-11-D
- IPD1-07-D-R
- IPD1-11-D-GP
- IPD1-07-D-P-R
- IPD1-11-D-GP-R
- IPD1-07-D-P