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IPD122N10N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD122N10N3G
廠商型號

IPD122N10N3G

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件大小

254.29 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 16:55:00

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IPD122N10N3G規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPD122N10N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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