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IPI200N25N3G	文件：427.94 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPP200N25N3	文件：319.37 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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