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IPD60R3K3C6中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IPD60R3K3C6規(guī)格書詳情
? DESCRITION
? Fast switching
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤3.3?
? Enhancement mode:
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IPD60R3K3C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 1.7A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
原廠封裝 |
1000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
Infineon |
21+ |
20000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
Infineon |
2023 |
6200 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
DPAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-252 |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
DPAK(TO-252) |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon |
21+ |
N/A |
29898 |
確保原裝現(xiàn)貨,實單價格支持! |
詢價 |
