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IPD70N12S3L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPD70N12S3L-12

OptiMOS?-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPD70N12S3L供應商 更新時間2025-1-5 9:22:00

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