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IPF016N10NF2S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IPF016N10NF2S |
參數(shù)屬性 | IPF016N10NF2S 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRENCH \u003e=100V |
功能描述 | StrongIRFETTM 2 Power-Transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | PG-TO263-7 |
文件大小 |
963.58 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 17:22:00 |
IPF016N10NF2S規(guī)格書(shū)詳情
IPF016N10NF2S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPF016N10NF2S晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
Features
? Optimized for a wide range of applications
? N-Channel, normal level
? 100 avalanche tested
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Halogen-free according to IEC61249-2-21
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IPF016N10NF2SATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 描述:
TRENCH \u003e=100V
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
NA |
800 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
VB |
TO-252 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
ReverseDPAK(Revers |
8866 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2410+ |
con |
9000 |
十年芯路!只做原裝!一直起賣! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
AMPHENOL |
24+ |
SMD |
666 |
C06-二極管 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
con |
46 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
46 |
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IR |
23+ |
TO-3 |
8000 |
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詢價(jià) |