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KI10N03	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MMSF10N03Z	文件：196.28 Kbytes Page：10 Pages	SINGLETMOSPOWERMOSFET10AMPERES30VOLTS EZFETs?areanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocessandcontainmonolithicback–to–backzenerdiodes.ThesezenerdiodesprovideprotectionagainstESDandunexpectedtransients. ?ZenerProtectedGatesProvideElectrostaticDischargeProtection	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MMSF10N03Z	文件：283.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SDD10N03	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SDD10N03	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
SSG10N03	文件：316.43 Kbytes Page：4 Pages	Dual-NEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STB10N03	文件：105.08 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STP10N03	文件：105.51 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPF10N03LA G
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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