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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IQXT-130	文件：676.08 Kbytes Page：2 Pages	TCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IR130CSP	文件：168.35 Kbytes Page：5 Pages	Flipky	IRF International Rectifier	IRF
IRF130	文件：22.11 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF130	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF130	文件：56.56 Kbytes Page：7 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF130	文件：147.29 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14A) ProductSummary TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superior	IRF International Rectifier	IRF
IRF130	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF130	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION ?DrainCurrentID=14A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) ?HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?UPS ?Motorcontrols ?Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF130	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS Features: ?RepetitiveAvalancheRatings ?Dynamicdv/dtRating ?HermeticallySealed ?SimpleDriveRequirements ?EaseofParalleling	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF130SMD	文件：22.69 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：17.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：201.42 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE130	文件：202.47 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF130	文件：325.05 Kbytes Page：7 Pages	8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF130	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESS GE Solid State	GESS
IRFF130	文件：16.62 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF130	文件：150.53 Kbytes Page：3 Pages	8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFF130	文件：268.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IPF130供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:20:00

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