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IPFH6N03LAG

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPFH6N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPSH6N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat

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IPSH6N03LAG

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

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IPSH6N03LB

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPUH6N03LAG

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

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IPUH6N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat

InfineonInfineon Technologies AG

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IPUH6N03LB

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMDF6N03HD

PowerMOSFET6Amps,30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMDF6N03HD

DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT6N03HD

TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHT6N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHT6N03T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SSM6N03FE

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N03FE

HighSpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPFH6N03LA G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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