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IIPP023NE7N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPI023NE7N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP023NE7N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP023NE7N3G

N-channel,normallevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP023NE7N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPI023NE7N3 G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 75V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPI023NE7N3 G供應商 更新時間2025-1-2 14:05:00