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IPI086N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI086N10N3G

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI086N10N3G

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPA086N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIPP086N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA086N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA086N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA086N10N3G

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA086N10N3G

OptiMOS??Power-Transistor,100V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP086N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPI086N10N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO262-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO262-3
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
TO262-3
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO262-3
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
ADI
23+
TO-262
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ADI
23+
TO-262
7000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO262-3
93896
詢價(jià)
INFINEON
1645+
TO-262
8500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
更多IPI086N10N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 14:30:00

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