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35CN10N

N-channel,normallevel

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP35CN10N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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OptiMOS?2Power-Transistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPI35CN10N G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 27A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
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PG-TO262-3-1
8866
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Infineon Technologies
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更多IPI35CN10N G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:30:00

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