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IPI50R250CP	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.25? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPP50R250CP	文件：281.6 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QuailfiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications CoolMOSCPisdesignedfor: ?Hard&softswitchingSMPStopologies ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW50R250CP	文件：335.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighPeakCurrentCapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤250m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPW50R250CP	文件：537.66 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QuailfiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications CoolMOSCPisdesignedfor: ?Hard&softswitchingSMPStopologies ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細參數(shù)

型號：
IPI50R250CP
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
CoolMOS™
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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