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IPI65R280E6中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IPI65R280E6 |
功能描述 | isc N-Channel MOSFET Transistor |
文件大小 |
331 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-23 16:52:00 |
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IPI65R280E6規(guī)格書詳情
? DESCRIPTION
? Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not
sacrificing ease of use
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.28?
? Enhancement mode
? Fast Switching Speed
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IPI65R280E6
- 功能描述:
MOSFET Infineon COOL MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
30000 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO262-3 |
6820 |
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詢價(jià) | ||
Infine |
21+ |
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詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-262 |
14600 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
PG-TO262-3 |
315000 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
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INFINEON |
23+ |
TO-262 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |