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ISF1101	文件：370.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·LLCconverters,resonantconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
K1101	文件：168.56 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOS-FET [FUJI] N-CHANNELSILICONPOWERMOS-FET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
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KSR1101	文件：56.27 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=4.7K?,R2=4.7K?) ?ComplementtoKSR2101	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSR1101	文件：65.47 Kbytes Page：2 Pages	NPN(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATIONS(BiasResistorBuiltsIn) ?SwitchingCircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltInbiasResistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) ?ComplementtoKSR2101	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
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LB1101A	文件：597 Kbytes Page：3 Pages	DigitalInput	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設(shè)備有限公司	PF
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更多IPP-1101供應(yīng)商更新時間2025-1-11 10:02:00

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