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IPP018N10N5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPP018N10N5
廠商型號(hào)

IPP018N10N5

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V

絲印標(biāo)識(shí)

018N10N5

封裝外殼

PG-TO220-3

文件大小

1.67985 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00

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IPP018N10N5規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Ideal for high frequency switching and sync. rec.

? N-channel, normal level

? Optimized for FOMOSS

? Very low on-resistance RDS(on)

? 175°C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
NA/
8735
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Infineon(英飛凌)
23+
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只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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