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048N06L

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

IPB048N06L

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB048N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB048N06LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP048N06L

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

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詳細參數

  • 型號:

    IPP048N06L G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INF進口原
17+
TO-220
6200
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更多IPP048N06L G供應商 更新時間2025-1-9 16:13:00