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IPB070N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB070N06NG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP070N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP070N06NG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NVLJWS070N06CL

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVLJWS070N06CLTAG

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPP070N06L G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 80A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
24+
TO220-3
8866
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INF進(jìn)口原
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TO-220
6200
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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2118
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更多IPP070N06L G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 10:50:00

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