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IPP09N03LA中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP09N03LA
廠商型號

IPP09N03LA

功能描述

OptiMOS 2 Power-Transistor

絲印標識

09N03LA

封裝外殼

P-TO220-3-1

文件大小

347.27 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 23:00:00

IPP09N03LA規(guī)格書詳情

Type : IPB09N03LAG

Package : PG-TO263-3-2

Marking : 09N03LA

? Ideal for high-frequency dc/dc converters

? Qualified according to JEDEC for target applications

? N-channel - Logic level

? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 175 °C operating temperature

? dv/dtrated

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPP09N03LA

  • 功能描述:

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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