首頁>IPP65R660CFD>規(guī)格書詳情

IPP65R660CFD中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP65R660CFD
廠商型號

IPP65R660CFD

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

338.51 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 10:46:00

IPP65R660CFD規(guī)格書詳情

? DESCRIPTION

? Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offering

an extremely fast and robust body diode

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.66?

? Enhancement mode

? Fast Switching Speed

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPP65R660CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 700V 6.0A TO220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價
INFINEON/英飛凌
2022+
5500
原廠原裝,假一罰十
詢價
Infineon Technologies
21+
TO2203
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價
INFINEON
20+
TO-220
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
11220
英飛凌優(yōu)勢原裝IC,高效BOM配單。
詢價
Infineon
18+
NA
3315
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
31500
公司只做原裝正品
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
Infineon(英飛凌)
2021/2022+
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價