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IPP80N06S2L-07中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP80N06S2L-07
廠商型號

IPP80N06S2L-07

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.03426 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 11:39:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPP80N06S2L-07

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VBsemi
21+
TO220
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON/英飛凌
22+
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詢價(jià)
INFINEON
2022+
TO-220
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詢價(jià)
VBsemi
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TO220
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Infineon(英飛凌)
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON
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TO-220
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Infineon/英飛凌
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