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IPT067N20NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPT067N20NM6
廠商型號

IPT067N20NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

絲印標識

067N20N6

封裝外殼

PG-HSOF-8

文件大小

1.02925 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 16:20:00

IPT067N20NM6規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

? 100 avalanche tested

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