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IPT65R060CFD7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IPT65R060CFD7
廠商型號

IPT65R060CFD7

參數(shù)屬性

IPT65R060CFD7 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:HIGH POWER_NEW

功能描述

650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device
HIGH POWER_NEW

封裝外殼

8-PowerSFN

文件大小

1.42371 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-3 17:03:00

IPT65R060CFD7規(guī)格書詳情

IPT65R060CFD7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPT65R060CFD7晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Ultra-fast body diode

? 650V break down voltage

? Best-in-class RDS(on)

? Reduced switching losses

? Low RDS(on) dependency over temperature

Benefits

? Excellent hard commutation ruggedness

? Extra safety margin for designs with increased bus voltage

? Enabling increased power density solutions

? Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications

? Improved full load efficiency in industrial SMPS applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPT65R060CFD7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HSOF-8-3

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    HIGH POWER_NEW

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
21+
PG-HSOF-8
6000
原裝現(xiàn)貨正品
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Infineon/英飛凌
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原裝正品
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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H-PSOF-8-1
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