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IPTG020N13NM6

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPT020N13NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,135V

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPTC020N13NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,135V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index
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只做原裝正品,支持實(shí)單
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更多IPTG020N13NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 10:02:00

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