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IPTG025N15NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPTG025N15NM6
廠商型號(hào)

IPTG025N15NM6

功能描述

MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 150 V

絲印標(biāo)識(shí)

025N15N6

封裝外殼

PG-HSOG-8

文件大小

1.24861 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 18:06:00

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IPTG025N15NM6規(guī)格書詳情

Features

? N?channel, normal level

? Very low on?resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100% avalanche tested

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

? MSL 1 classified according to J?STD?020

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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