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IPTG111N20NM3FD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPTG111N20NM3FD
廠商型號

IPTG111N20NM3FD

功能描述

OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 200 V

絲印標(biāo)識

111N20NF

封裝外殼

PG-HSOG-8-1

文件大小

1.35671 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 15:40:00

IPTG111N20NM3FD規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Fast diode (FD) with reduced Qrr

? 175°C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Optimized for hard commutation ruggedness

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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