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IPW60R145CFD7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IPW60R145CFD7
廠商型號(hào)

IPW60R145CFD7

參數(shù)屬性

IPW60R145CFD7 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET HIGH POWER

功能描述

MOSFET 600V CoolMOSa CFD7 Power Transistor
MOSFET HIGH POWER

文件大小

1.35106 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

IPW60R145CFD7規(guī)格書(shū)詳情

IPW60R145CFD7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPW60R145CFD7晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Ultra-fast body diode

? Low gate charge

? Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

? Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness

? Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

? Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IPW60R145CFD7XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    16A(Tc)

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 描述:

    MOSFET HIGH POWER

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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NA/
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Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
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原裝現(xiàn)貨正品
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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