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IPW60R199CP

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPW60R199CP

CoolMOS Power Transistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?Hardswitchingtopologies,forServer

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP

CoolMOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP

CoolMOS? Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP_08

CoolMOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP_14

CoolMOS? Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPA60R199CP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199? ?Highpeakcurrentcapability ?Enhancementmode ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?HardswitchingSMPStopologies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IIPP60R199CP

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.199? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IIPW60R199CP

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPA60R199CP

CoolMosPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPW60R199CP

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
TO-3P
10000
原裝正品公司現(xiàn)貨
 詢價
INFINEO
2020+
TO-3P
8000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-247
1356
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
7962
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
25650
新到現(xiàn)貨,只做原裝進口
 詢價
Infineon
17+
TO-247
6200
詢價
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
 詢價
INFINEON
23+
PG-TO247-3-1
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEO
2020+
TO-247
1284
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多IPW60R199CP供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 14:02:00

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