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IIPW65R041CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPW65R041CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPW65R041CFD

extremelylowlossesduetoverylowfomrdsonqgandeoss

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISW65R041CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):44mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多IPW65R041CFDXK供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 10:53:00