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IPW65R048CFDAFKSA1中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPW65R048CFDAFKSA1
廠商型號(hào)

IPW65R048CFDAFKSA1

功能描述

650V CoolMOS CFDA Power Transistor

文件大小

1.12157 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 10:28:00

IPW65R048CFDAFKSA1規(guī)格書(shū)詳情

650V CoolMOS CFDA Power Transistor

Features

? Ultra-fast body diode

? Very high commutation ruggedness

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Easy to use/drive

? Qualified according to AEC Q101

? Green package (RoHS compliant), Pb-free plating, halogen free for mold

compound

Applications

650V CoolMOS CFDA is designed for switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPW65R048CFDAFKSA1

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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