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IPW90R120C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPW90R120C3

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?WorldwidebestRDS,oninTO247 ?Ultralowgatecharge CoolMOS?900Visdesignedfor: ?Quasi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPW90R120C3FETIGBTIC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 9:30:00

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