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IPW95R310PFD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.31Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·Highpeakcurrent

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPW95R310PFD7

MOSFET 950V CoolMOSa PFD7 SJ Power Device

Features ?Integratedultra-fastbodydiode ?Best-in-classreverserecoverychargeQrr ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss,reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?Integratedfastbodydiode ?Best-in-classCoolMOS?qualityandrelia

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPW95R310PFD供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 10:02:00

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