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IQD020N10NM5CGSC中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IQD020N10NM5CGSC
廠商型號(hào)

IQD020N10NM5CGSC

功能描述

MOSFET OptiMOS? 5 Power?Transistor, 100 V

絲印標(biāo)識(shí)

SA

封裝外殼

PG-WHTFN-9

文件大小

858.9 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

IQD020N10NM5CGSC規(guī)格書詳情

Features

? N?channel, normal level

? Very low on?resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? Optimized design for double side cooling

? 100% avalanche tested

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
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