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IQE013N04LM6CG中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IQE013N04LM6CG
廠商型號(hào)

IQE013N04LM6CG

功能描述

OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V

絲印標(biāo)識(shí)

01304C6

封裝外殼

PG-TTFN-9-1

文件大小

1.4171 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:00:00

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IQE013N04LM6CG規(guī)格書詳情

Features

?Optimizedforsynchronousrectification

?Verylowon-stateresistanceRDS(on)

?100avalanchetested

?Superiorthermalresistance

?N-channel,logiclevel

?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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