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IQFH39N04NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IQFH39N04NM6
廠商型號(hào)

IQFH39N04NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

絲印標(biāo)識(shí)

H39N04NM6

封裝外殼

PG-TSON-12

文件大小

1.12444 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-10 17:21:00

IQFH39N04NM6規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for Low Voltage Drives applications

? Optimized for Battery Powered applications

? Optimized for Synchronous Rectification

? Very low on-resistance RDS(on)

? 100% avalanche tested

? Superior thermal resistance

? N-channel, normal level

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? 175°C rated

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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