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IQFH55N04NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IQFH55N04NM6
廠商型號

IQFH55N04NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

絲印標(biāo)識

H55N04NM6

封裝外殼

PG-TSON-12

文件大小

1.12341 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 23:01:00

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IQFH55N04NM6規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for Low Voltage Drives applications

? Optimized for Battery Powered applications

? Optimized for Synchronous application

? Very low on-resistance RDS(on)

? 100% avalanche tested

? Superior thermal resistance

? N-channel

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? 175°C rated

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TDK/東電化
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