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IR2102S集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IR2102S
廠商型號(hào)

IR2102S

參數(shù)屬性

IR2102S 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為散裝;類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

148.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-8 22:36:00

IR2102S規(guī)格書(shū)詳情

IR2102S屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IR2102S柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

Features

? Floating channel designed for bootstrap operation

?? Fully operational to +600V

?? Tolerant to negative transient voltage

?? dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 to 20V

? Undervoltage lockout

? 3.3V, 5V, and 15V logic input compatible

? Matched propagation delay for both channels

? Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of

?? phase with inputs (IR2102)

? Also available LEAD-FREE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IR2102S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    散裝

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類(lèi)型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類(lèi)型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    210mA,360mA

  • 輸入類(lèi)型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    100ns,50ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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