IR2121集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IR2121 |
參數(shù)屬性 | IR2121 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為散裝;類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
功能描述 | CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER |
封裝外殼 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
文件大小 |
155.29 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-4 9:10:00 |
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IR2121屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IR2121柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
Description
The IR2121 is a high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle-by-cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting condition and latched shutdown. The output can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the low side configuration.
Features
? Gate drive supply range from 12 to 18V
? Undervoltage lockout
? Current detection and limiting loop to limit driven
?? power transistor current
? Error lead indicates fault conditions and programs
?? shutdown time
? Output in phase with input
? 2.5V, 5V and 15V input logic compatible
? Also available LEAD-FREE
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IR2121
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
散裝
- 驅(qū)動(dòng)配置:
低端
- 通道類(lèi)型:
單路
- 柵極類(lèi)型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
12V ~ 18V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.8V,2.2V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1.6A,3.3A
- 輸入類(lèi)型:
非反相
- 上升/下降時(shí)間(典型值):
43ns,26ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-PDIP
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
DIP |
32732 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
DIP-8 |
10080 |
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
詢價(jià) | ||
IOR |
23+ |
DIP |
3200 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
IR |
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IR |
24+ |
DIP8 |
27 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IOR |
10+ |
DIP-8 |
7800 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
DIP-8 |
35200 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
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IR |
2023+ |
40000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |