IR2121集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IR2121 |
| 參數(shù)屬性 | IR2121 封裝/外殼為8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝為散裝；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
| 功能描述 | CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER |
| 封裝外殼 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 文件大小 |
155.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-23 9:30:00 |
| 人工找貨 | IR2121價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IR2121規(guī)格書詳情
IR2121屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IR2121柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
Description
The IR2121 is a high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle-by-cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting condition and latched shutdown. The output can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the low side configuration.
Features
? Gate drive supply range from 12 to 18V
? Undervoltage lockout
? Current detection and limiting loop to limit driven
?? power transistor current
? Error lead indicates fault conditions and programs
?? shutdown time
? Output in phase with input
? 2.5V, 5V and 15V input logic compatible
? Also available LEAD-FREE
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IR2121
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
散裝
- 驅(qū)動(dòng)配置：
低端
- 通道類型：
單路
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
12V ~ 18V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.2V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.6A，3.3A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
43ns，26ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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