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IR2133STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2133STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRS2133	文件：505.91 Kbytes Page：20 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(3,5)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
IRS2133JPBF	文件：505.91 Kbytes Page：20 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(3,5)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
IRS2133JTRPBF	文件：505.91 Kbytes Page：20 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(3,5)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
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IRS2133SPBF	文件：505.91 Kbytes Page：20 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(3,5)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
IRS2133STRPBF	文件：505.91 Kbytes Page：20 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIRS213(3,5)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
ISG2133	文件：306.76 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowVCE(ON)andSwitchingLosses ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·Welding ·PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KA2133	文件：95.52 Kbytes Page：3 Pages	1-CHIPDEFLECTIONSYSTEM 1-CHIPDEFLECTIONSYSTEM TheKA2133consistsofaverticalsystemincludinganoutputfunctionandahorizontalsystemincludinganAFCfunction.ItisforuseinsmallsizecolorTVs,B/WTVreceiversandmonitors. FEATURES ·Lowpowerconsumption,directdeflectioncoildrivingca	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IR2133STR
制造商：
Infineon Technologies
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
管件
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
3 相
柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
10V ~ 20V
邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.2V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
輸入類型：
反相
上升/下降時間（典型值）：
90ns，40ns
工作溫度：
125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
28-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IR2133STR供應(yīng)商更新時間2025-3-12 10:38:00

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