IR2181S集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IR2181S |
| 參數(shù)屬性 | IR2181S 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
445.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
21 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-9 14:18:00 |
IR2181S規(guī)格書詳情
IR2181S屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IR2181S柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
Description
The IR2181(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
?? Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
? Gate drive supply range from 10 to 20V
? Undervoltage lockout for both channels
? 3.3V and 5V input logic compatible
? Matched propagation delay for both channels
? Logic and power ground +/- 5V offset.
? Lower di/dt gate driver for better noise immunity
? Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
? Also available LEAD-FREE (PbF)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IR2181S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動配置：
半橋
- 通道類型：
獨立式
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.7V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時間（典型值）：
40ns，20ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
19+ |
74465 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
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INFINEON/英飛凌 |
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