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IRF1010E中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF1010E
廠商型號

IRF1010E
功能描述

Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?
文件大小

195.51 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-11 18:15:00

IRF1010E規(guī)格書詳情

? Advanced Process Technology

? Ultra Low On-Resistance

? Dynamic dv/dt Rating

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

Description

Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well

known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF1010E

  • 制造商：

    International Rectifier

  • 功能描述：

    MOSFET N TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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