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IRF2807ZL	文件：4.64052 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807ZL	文件：272.67 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZL	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZL	文件：301.04 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2807ZLPBF	文件：279.79 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A) Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZLPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZPBF	文件：279.79 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(75V,94mOHM,75A) Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZS	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZS	文件：4.64052 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807ZS	文件：272.67 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZS	文件：189.76 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2807ZSPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSPBF	文件：279.79 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(75V,94mOHM,75A) Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSTRL	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSTRRPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRS2807DS	文件：2.4731 Mbytes Page：26 Pages	600-VHigh-andLow-SideDriverwithBootstrapDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KA2807	文件：47.28 Kbytes Page：6 Pages	EarthLeakageDetector Description TheKA2807isaICforgroundfaultcircuitinterrupterswhichareintendedtoprovideanelectricalshockhazardprotectionfromlinetogroundfaultcurrentsongroundedcircuitsof120Vsupplies. Features ?FullAdvantageoftheUL943 ?Built-InVoltageRegulator ?SenseCoil:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KA2807	文件：168.51 Kbytes Page：8 Pages	EarthLeakageDetector Description TheKA2807isaICforgroundfaultcircuitinterrupterswhichareintendedtoprovideanelectricalshockhazardprotectionfromlinetogroundfaultcurrentsongroundedcircuitsof120Vsupplies. Features ?FullAdvantageoftheUL943 ?Built-InVoltageRegulator ?SenseCoil:	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF2807ZL
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRF2807ZL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-14 16:30:00

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