IRF3205L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF3205L |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? |
| 文件大小 |
160.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-25 14:08:00 |
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IRF3205L規(guī)格書詳情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0m?
ID= 110A?
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3205L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
50338 |
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IR |
24+ |
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IR |
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TO262 |
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TO262 |
6000 |
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2023 |
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公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO2623 |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
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9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
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