IRF331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IRF331 |
參數(shù)屬性 | IRF331 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK |
功能描述 | N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
848.7 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-2 22:30:00 |
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更多IRF331規(guī)格書詳情
Description
These devices are n-channol, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.
? VQS Rated at ±20 V
? Silicon Gate for Fast Switching Speeds
? IDSS, VDS(on), SOA and VGS(th) Specified at Elevated
Temperature
? Rugged
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRF3314STRR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型:
N 通道
- 技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
- Vgs(最大值):
±20V
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 描述:
MOSFET N-CH 150V D2PAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
KOREA |
2020+ |
金封TO-3P |
80000 |
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IR |
22+23+ |
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42797 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-3 |
10000 |
詢價(jià) | |||
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19+ |
74529 |
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詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) |