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IRF3315S

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF3315S

Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF3315SPBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF3315SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF3315SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

KSM3315

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

LANE3315NDH

1WattOutputPower

WALL

Wall Industries Inc

LANE3315NH

1WattOutputPower

WALL

Wall Industries Inc

LP3315

1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半導體微源半導體股份有限公司

LTC3315A

1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP

FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF3315S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
22+
D2-PAK
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
24+
TO-263
501273
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
24+
TO-263
6000
一般納稅人資質，只做原裝正品。
 詢價
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
06+
TO-263
5000
自己公司全新庫存絕對有貨
 詢價
IR
23+
TO263
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IR
24+
(TO263)
1523
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
24+
D2-Pak
8866
詢價
IR
TO-263
1000
原裝長期供貨!
 詢價
IR
2020+
TO263
1058
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多IRF3315S供應商 更新時間2025-4-25 17:48:00

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