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IRF352中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF352
廠商型號

IRF352

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.49 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 9:29:00

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IRF352規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low RDS(on)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

● TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF352

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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