IRF3710L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3710L規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23m?
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3710L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO262 |
8950 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3348 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON |
2022+ |
TO-262 |
57550 |
詢價 | |||
IR |
21+ |
TO262 |
6450 |
只做原裝,絕對現(xiàn)貨,原廠代理商渠道,歡迎電話微信查 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO262 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 |
