IRF3710L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRF3710L規(guī)格書(shū)詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23m?
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF3710L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
15+ |
TO262 |
6450 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專(zhuān)營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO262 |
6450 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
IR |
2022 |
TO262 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO262 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |
