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IRF3808SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF3808SPBF
廠商型號(hào)

IRF3808SPBF

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

264.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 20:00:00

IRF3808SPBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

This Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.

Benefits

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

● Lead-Free

Typical Applications

● Industrial Motor Drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF3808SPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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Infineon(英飛凌)
23+
D2PAK
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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24+
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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原裝正品
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原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
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