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IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI530A	文件：274.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：171.73 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530G	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI530G	文件：319.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：1.47008 Mbytes Page：7 Pages	SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI530G	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI530GPBF	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI530GPBF	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI530N	文件：133.48 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530NPBF	文件：227.95 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530NPBF	文件：506.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI530NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFS530	文件：261.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS530	文件：270.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS530A	文件：261.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS530A	文件：271.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFW530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFW530A	文件：361.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳廊盛科技有限公司	IRF530其他被動元件	IR	2022	TO-220	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳龐田科技有限公司	IRF530其他被動元件	IR	2023+	TO-220	48000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價
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更多IRF530STRRPBFA供應商更新時間2024-10-25 17:18:00

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