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IRF540中文資料杜因特數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF540
廠商型號

IRF540

功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.15286 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企業(yè)簡稱

DOINGTER杜因特

中文名稱

深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-10 22:58:00

IRF540規(guī)格書詳情

Description:

This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Features:

1) VDS=100V,ID=30A,RDS(ON)≤70m? @VGS=10V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF540

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 28 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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